Seite drucken
FGH40T65SH-F155
IGBT, 80 A, 2.1 V, 268 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
Wird nicht mehr hergestellt.
Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerFGH40T65SH-F155
Bestellnummer3615775
Technisches Datenblatt
Dauerkollektorstrom80A
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung2.1V
Verlustleistung268W
Kollektor-Emitter-Spannung, max.650V
Bauform - TransistorTO-247
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.175°C
TransistormontageDurchsteckmontage
Produktpalette-
SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)
Technische Spezifikationen
Dauerkollektorstrom
80A
Verlustleistung
268W
Bauform - Transistor
TO-247
Betriebstemperatur, max.
175°C
Produktpalette
-
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
2.1V
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
650V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Transistormontage
Durchsteckmontage
SVHC
No SVHC (15-Jan-2018)
Technische Dokumente (3)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Nein
RoHS-Phthalate-konform:Nein
SVHC:No SVHC (15-Jan-2018)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.1