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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerFDN335N
Bestellnummer2323183
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds20V
Dauer-Drainstrom Id1.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.07ohm
Bauform - TransistorSuperSOT
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung4.5V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.900mV
Verlustleistung500mW
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
Beim Modell FDN335N handelt es sich um einen für 2.5V ausgelegten n-Kanal-MOSFET, der mittels fortschrittlichem PowerTrench®-Verfahren hergestellt wird. Er wurde speziell entwickelt, um den Durchgangswiderstand zu minimieren und eine niedrige Gate-Ladung beizubehalten, um eine herausragende Schaltleistung zu erreichen.
- Niedrige Gate-Schwellenspannung
- Leistungsstarke Trench-Technologie für äußerst niedrigen RDS(ON)
- Hohe Leistungs- und Strombelastbarkeit
Anwendungen
Power-Management, Industrie
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
1.7A
Bauform - Transistor
SuperSOT
Rds(on)-Prüfspannung
4.5V
Verlustleistung
500mW
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Drain-Source-Spannung Vds
20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.07ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
900mV
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000036
Produktnachverfolgung