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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerFDC608PZ
Bestellnummer1495225
Technisches Datenblatt
Kanaltypp-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds20V
Dauer-Drainstrom Id5.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.03ohm
Bauform - TransistorSuperSOT
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung4.5V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.1V
Verlustleistung1.6W
Anzahl der Pins6Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
FDC608PZ ist ein für 2.5V spezifizierter p-Kanal-MOSFET, der mithilfe des fortschrittlichen PowerTrench®-Verfahrens hergestellt wird. Dieses Verfahren wurde speziell entwickelt, um den Durchgangswiderstand zu minimieren und eine niedrige Gate-Ladung beizubehalten und so eine herausragende Schaltleistung zu erreichen. Der Baustein eignet sich gut für Lastschaltanwendungen, Akkuladeschaltungen und die DC/DC-Umwandlung.
- Niedrige Gate-Ladung
- Leistungsstarke Trench-Technologie für äußerst niedrigen RDS(ON)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
p-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
5.8A
Bauform - Transistor
SuperSOT
Rds(on)-Prüfspannung
4.5V
Verlustleistung
1.6W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Drain-Source-Spannung Vds
20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.03ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
1V
Anzahl der Pins
6Pin(s)
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000046