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FDA28N50
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 28 A, 0.122 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | CHF 4.480 |
| 10+ | CHF 2.300 |
| 100+ | CHF 2.250 |
| 500+ | CHF 2.210 |
| 1000+ | CHF 2.060 |
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerFDA28N50
Bestellnummer3368719
ProduktpaletteUniFET
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds500V
Dauer-Drainstrom Id28A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.122ohm
Bauform - TransistorTO-3PN
TransistormontageDurchsteckmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.5V
Verlustleistung310W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteUniFET
Qualifikation-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
28A
Bauform - Transistor
TO-3PN
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
310W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
Drain-Source-Spannung Vds
500V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.122ohm
Transistormontage
Durchsteckmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
5V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
UniFET
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.002