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BS170
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 500 mA, 1.2 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
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| Menge | |
|---|---|
| 5+ | CHF 0.271 |
| 10+ | CHF 0.185 |
| 100+ | CHF 0.0959 |
| 500+ | CHF 0.0869 |
| 1000+ | CHF 0.0747 |
| 5000+ | CHF 0.0729 |
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerBS170
Bestellnummer1017687
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds60V
Dauer-Drainstrom Id500mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand1.2ohm
Bauform - TransistorTO-92
TransistormontageDurchsteckmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.2.1V
Verlustleistung830mW
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
BS170 ist ein n-Kanal-FET (Anreicherungstyp), der mit der DMOS-Technologie mit hoher Zelldichte hergestellt wird. Dank dieses Prozesses kann der Durchgangswiderstand minimiert werden, während eine robuste, zuverlässige und schnelle Schaltleistung gewährleistet wird. Der Baustein eignet sich für die meisten Anwendungen, bei denen bis zu 500mA DC benötigt werden. Darüber hinaus eignet er sich für Niederspannungs- und Niederstromanwendungen wie kleine Servomotorsteuerungen, Leistungs-MOSFET-Gate-Treiber und andere Schaltanwendungen.
- Spannungsgesteuerter Kleinsignalschalter
- Robust und zuverlässig
- Hohe Sättigungsstrombelastbarkeit
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
500mA
Bauform - Transistor
TO-92
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
830mW
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Drain-Source-Spannung Vds
60V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
1.2ohm
Transistormontage
Durchsteckmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
2.1V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Alternativen für BS170
4 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.0002
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