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BC559BTA
Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 500 mW, TO-92, Durchsteckmontage
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| Menge | |
|---|---|
| 5+ | CHF 0.222 |
| 10+ | CHF 0.132 |
| 100+ | CHF 0.0853 |
| 500+ | CHF 0.0614 |
| 1000+ | CHF 0.054 |
| 5000+ | CHF 0.0401 |
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerBC559BTA
Bestellnummer2985520
WandlerpolaritätPNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.30V
Dauer-Kollektorstrom100mA
Verlustleistung500mW
Bauform - TransistorTO-92
TransistormontageDurchsteckmontage
Anzahl der Pins3Pin(s)
Übergangsfrequenz150MHz
DC-Stromverstärkung (hFE), min.200hFE
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
The BC559BTA is a PNP epitaxial silicon Bipolar Transistor suitable for switching and amplifier applications.
- Low noise
- Complement to BC549
Anwendungen
Power-Management, Industrie
Warnungen und Hinweise
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
PNP
Dauer-Kollektorstrom
100mA
Bauform - Transistor
TO-92
Anzahl der Pins
3Pin(s)
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
200hFE
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
30V
Verlustleistung
500mW
Transistormontage
Durchsteckmontage
Übergangsfrequenz
150MHz
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000294
Produktnachverfolgung