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BC546BTF
Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 100 mA, 500 mW, TO-92, Durchsteckmontage
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerBC546BTF
Bestellnummer2453787
WandlerpolaritätNPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max.65V
Dauerkollektorstrom100mA
Verlustleistung500mW
Bauform - TransistorTO-92
TransistormontageDurchsteckmontage
Anzahl der Pins3Pin(s)
Übergangsfrequenz300MHz
DC-Stromverstärkung (hFE), min.200hFE
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
Beim Modell BC546BTF handelt es sich um einen bipolaren, epitaxialen NPN-Siliziumtransistor, der sich für Schalt- und Verstärkungsanwendungen eignet.
- Hochspannungs-VCEO
- Ergänzung zu BC556
Anwendungen
Power-Management, Industrie
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
NPN
Dauerkollektorstrom
100mA
Bauform - Transistor
TO-92
Anzahl der Pins
3Pin(s)
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
200hFE
Produktpalette
-
MSL
-
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
65V
Verlustleistung
500mW
Transistormontage
Durchsteckmontage
Übergangsfrequenz
300MHz
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (1)
Alternativen für BC546BTF
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Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000635
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