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AFGB40T65SQDN
IGBT, 80 A, 1.6 V, 238 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerAFGB40T65SQDN
Bestellnummer2981065
Technisches Datenblatt
Dauerkollektorstrom80A
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung1.6V
Verlustleistung238W
Kollektor-Emitter-Spannung, max.650V
Bauform - TransistorTO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.175°C
TransistormontageOberflächenmontage
Produktpalette-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
Warnungen und Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab. Das Produkt ist von Rabattaktionen ausgenommen.
Technische Spezifikationen
Dauerkollektorstrom
80A
Verlustleistung
238W
Bauform - Transistor
TO-263 (D2PAK)
Betriebstemperatur, max.
175°C
Produktpalette
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
1.6V
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
650V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Transistormontage
Oberflächenmontage
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.15
Produktnachverfolgung