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2SA2016-TD-E
Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 7 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
Herstellerteilenummer2SA2016-TD-E
Bestellnummer2845282
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätPNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.50V
Dauerkollektorstrom7A
Verlustleistung3.5W
Bauform - TransistorSOT-89
TransistormontageOberflächenmontage
Anzahl der Pins3Pin(s)
Übergangsfrequenz290MHz
DC-Stromverstärkung (hFE), min.200hFE
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
PNP
Dauerkollektorstrom
7A
Bauform - Transistor
SOT-89
Anzahl der Pins
3Pin(s)
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
200hFE
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
50V
Verlustleistung
3.5W
Transistormontage
Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz
290MHz
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000142
Produktnachverfolgung