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PXP018-20QXJ
Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 8.4 A, 0.0144 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
Produktspezifikationen
HerstellerNEXPERIA
HerstellerteilenummerPXP018-20QXJ
Bestellnummer3653166
ProduktpaletteTrench
Technisches Datenblatt
Kanaltypp-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds20V
Dauer-Drainstrom Id8.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.0144ohm
Bauform - TransistorMLPAK33
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung4.5V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.900mV
Verlustleistung1.8W
Anzahl der Pins8Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteTrench
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
p-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
8.4A
Bauform - Transistor
MLPAK33
Rds(on)-Prüfspannung
4.5V
Verlustleistung
1.8W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain-Source-Spannung Vds
20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.0144ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
900mV
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Produktpalette
Trench
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000001