Seite drucken
PSMN1R8-80SSFJ
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 270 A, 1350 µohm, LFPAK88, Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
1’751 auf Lager
Ihr Bedarf geht darüber hinaus?
EXPRESS-Lieferung in 1–2 Arbeitstagen
Bestellung vor 17:00
KOSTENLOSE Standardlieferung
für Bestellungen ab CHF 0.00
Genaue Lieferzeiten werden an der Kasse berechnet
| Menge | |
|---|---|
| 1+ | CHF 6.070 |
| 5+ | CHF 5.480 |
| 10+ | CHF 4.890 |
| 50+ | CHF 4.600 |
| 100+ | CHF 4.050 |
| 250+ | CHF 3.970 |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 1
Mehrere: 1
CHF 6.07 (ohne MwSt.)
Hinweis zur Position hinzufügen
Nur für diese Bestellung zu Ihrer Auftragsbestätigung, Rechnung und Versandanzeige hinzugefügt.
Diese Nummer wird der Auftragsbestätigung, der Rechnung, dem Versandschein, der Webbestätigungs-E-Mail und dem Etikett hinzugefügt.
Produktspezifikationen
HerstellerNEXPERIA
HerstellerteilenummerPSMN1R8-80SSFJ
Bestellnummer4147451
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds80V
Dauer-Drainstrom Id270A
Drain-Source-Durchgangswiderstand1350µohm
Bauform - TransistorLFPAK88
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.4V
Verlustleistung341W
Anzahl der Pins4Pin(s)
Betriebstemperatur, max.175°C
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCLead (25-Jun-2025)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
270A
Bauform - Transistor
LFPAK88
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
341W
Betriebstemperatur, max.
175°C
Qualifikation
-
Drain-Source-Spannung Vds
80V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
1350µohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
4V
Anzahl der Pins
4Pin(s)
Produktpalette
-
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000001
Produktnachverfolgung