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PSMN1R4-100ASEJ
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 340 A, 1360 µohm, CCPAK1212, Oberflächenmontage
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| Menge | |
|---|---|
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| 10+ | CHF 4.950 |
| 50+ | CHF 4.540 |
| 100+ | CHF 4.130 |
| 250+ | CHF 4.040 |
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Produktspezifikationen
HerstellerNEXPERIA
HerstellerteilenummerPSMN1R4-100ASEJ
Bestellnummer4697671
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds100V
Dauer-Drainstrom Id340A
Drain-Source-Durchgangswiderstand1360µohm
Bauform - TransistorCCPAK1212
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.3.6V
Verlustleistung935W
Anzahl der Pins12Pin(s)
Betriebstemperatur, max.175°C
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
340A
Bauform - Transistor
CCPAK1212
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
935W
Betriebstemperatur, max.
175°C
Qualifikation
-
Drain-Source-Spannung Vds
100V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
1360µohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
3.6V
Anzahl der Pins
12Pin(s)
Produktpalette
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Keine Angabe
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000001
Produktnachverfolgung