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PMV55ENEAR
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3.1 A, 0.06 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
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Produktspezifikationen
HerstellerNEXPERIA
HerstellerteilenummerPMV55ENEAR
Bestellnummer2628094RL
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds60V
Dauer-Drainstrom Id3.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.06ohm
Bauform - TransistorTO-236AB
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.1.7V
Verlustleistung478mW
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
QualifikationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Produktbeschreibung
PMV55ENEAR is a N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. Typical applications include relay driver, high-speed line driver, low-side load switch, and switching circuits.
- Logic level compatible, very fast switching
- ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 2kV HBM
- AEC-Q101 qualified
- Drain-source voltage is 60V max at Tj = 25°C
- Gate-source voltage is 20V maximum
- Drain current is 3.1A maximum at VGS = 10V; Tamb = 25°C
- Peak drain current is 12.6A max at Tamb = 25°C; single pulse; tp ≤ 10µs
- Total power dissipation is 478mW max at Tamb = 25°C
- Source current is 1.3A max at Tamb = 25°C
- Ambient temperature range from -55 to 150°C
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
3.1A
Bauform - Transistor
TO-236AB
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
478mW
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain-Source-Spannung Vds
60V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.06ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
1.7V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000009
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