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MJD45H11J
Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Produktspezifikationen
HerstellerNEXPERIA
HerstellerteilenummerMJD45H11J
Bestellnummer3771700RL
ProduktpaletteMJD
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätPNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.80V
Dauerkollektorstrom8A
Verlustleistung20W
Bauform - TransistorTO-252 (DPAK)
TransistormontageOberflächenmontage
Anzahl der Pins3Pin(s)
Übergangsfrequenz80MHz
DC-Stromverstärkung (hFE), min.40hFE
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteMJD
Qualifikation-
MSL-
SVHCLead (25-Jun-2025)
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
PNP
Dauerkollektorstrom
8A
Bauform - Transistor
TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins
3Pin(s)
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
40hFE
Produktpalette
MJD
MSL
-
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
80V
Verlustleistung
20W
Transistormontage
Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz
80MHz
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000385
Produktnachverfolgung