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MJD2873J
Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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| Menge | |
|---|---|
| 100+ | CHF 0.238 |
| 500+ | CHF 0.187 |
| 1000+ | CHF 0.163 |
| 5000+ | CHF 0.120 |
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Produktspezifikationen
HerstellerNEXPERIA
HerstellerteilenummerMJD2873J
Bestellnummer3773271RL
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätNPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max.50V
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo50V
DC-Kollektorstrom2A
Dauerkollektorstrom2A
Verlustleistung15W
Verlustleistung Pd15W
Bauform - TransistorTO-252 (DPAK)
TransistormontageOberflächenmontage
Anzahl der Pins3Pin(s)
Übergangsfrequenz65MHz
DC-Stromverstärkung (hFE), min.40hFE
DC-Stromverstärkung hFE40hFE
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
NPN
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo
50V
Dauerkollektorstrom
2A
Verlustleistung Pd
15W
Transistormontage
Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz
65MHz
DC-Stromverstärkung hFE
40hFE
Produktpalette
-
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
50V
DC-Kollektorstrom
2A
Verlustleistung
15W
Bauform - Transistor
TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins
3Pin(s)
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
40hFE
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
MSL
-
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.005443