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BUK9K22-80EX
Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 21 A, 21 A, 0.0157 ohm
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| Menge | |
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| 500+ | CHF 0.967 |
| 1000+ | CHF 0.734 |
| 5000+ | CHF 0.732 |
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Produktspezifikationen
HerstellerNEXPERIA
HerstellerteilenummerBUK9K22-80EX
Bestellnummer2822800RL
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal80V
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal80V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal21A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal21A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal0.0157ohm
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal0.0157ohm
Bauform - TransistorSOT-1205
Anzahl der Pins8Pin(s)
Verlustleistung, n-Kanal64W
Verlustleistung, p-Kanal64W
Betriebstemperatur, max.175°C
Produktpalette-
QualifikationAEC-Q101
SVHCLead (25-Jun-2025)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal
80V
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal
21A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal
0.0157ohm
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Verlustleistung, p-Kanal
64W
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal
80V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal
21A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal
0.0157ohm
Bauform - Transistor
SOT-1205
Verlustleistung, n-Kanal
64W
Betriebstemperatur, max.
175°C
Qualifikation
AEC-Q101
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.002268
Produktnachverfolgung