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BUK9K20-80EX
Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 23 A, 23 A, 0.0142 ohm
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| Menge | |
|---|---|
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| 500+ | CHF 1.000 |
| 1000+ | CHF 0.880 |
| 5000+ | CHF 0.832 |
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Produktspezifikationen
HerstellerNEXPERIA
HerstellerteilenummerBUK9K20-80EX
Bestellnummer2822799RL
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal80V
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal80V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal23A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal23A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal0.0142ohm
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal0.0142ohm
Bauform - TransistorSOT-1205
Anzahl der Pins8Pin(s)
Verlustleistung, n-Kanal68W
Verlustleistung, p-Kanal68W
Betriebstemperatur, max.175°C
Produktpalette-
QualifikationAEC-Q101
SVHCLead (25-Jun-2025)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal
80V
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal
23A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal
0.0142ohm
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Verlustleistung, p-Kanal
68W
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal
80V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal
23A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal
0.0142ohm
Bauform - Transistor
SOT-1205
Verlustleistung, n-Kanal
68W
Betriebstemperatur, max.
175°C
Qualifikation
AEC-Q101
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.0002
Produktnachverfolgung