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BC857CQC-QZ
Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 450 mW, DFN1412D, Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerNEXPERIA
HerstellerteilenummerBC857CQC-QZ
Bestellnummer3868829
ProduktpaletteBC857xQC-Q Series
Technisches Datenblatt
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| Menge | |
|---|---|
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| 10+ | CHF 0.083 |
| 100+ | CHF 0.0519 |
| 500+ | CHF 0.0408 |
| 1000+ | CHF 0.0332 |
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Produktspezifikationen
HerstellerNEXPERIA
HerstellerteilenummerBC857CQC-QZ
Bestellnummer3868829
ProduktpaletteBC857xQC-Q Series
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätPNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.45V
Dauerkollektorstrom100mA
Verlustleistung450mW
Bauform - TransistorDFN1412D
TransistormontageOberflächenmontage
Anzahl der Pins3Pin(s)
Übergangsfrequenz100MHz
DC-Stromverstärkung (hFE), min.420hFE
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteBC857xQC-Q Series
QualifikationAEC-Q101
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
PNP
Dauerkollektorstrom
100mA
Bauform - Transistor
DFN1412D
Anzahl der Pins
3Pin(s)
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
420hFE
Produktpalette
BC857xQC-Q Series
MSL
-
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
45V
Verlustleistung
450mW
Transistormontage
Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz
100MHz
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000136
Produktnachverfolgung