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BC856BW-QF
Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
Produktspezifikationen
HerstellerNEXPERIA
HerstellerteilenummerBC856BW-QF
Bestellnummer4319581
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätPNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.65V
Dauerkollektorstrom100mA
Verlustleistung200mW
Bauform - TransistorSOT-323
TransistormontageOberflächenmontage
Anzahl der Pins3Pin(s)
Übergangsfrequenz100MHz
DC-Stromverstärkung (hFE), min.220hFE
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
PNP
Dauerkollektorstrom
100mA
Bauform - Transistor
SOT-323
Anzahl der Pins
3Pin(s)
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
220hFE
Produktpalette
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
65V
Verlustleistung
200mW
Transistormontage
Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz
100MHz
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.001
Produktnachverfolgung