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BC856AQCZ
Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 450 mW, DFN1412D, Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerNEXPERIA
HerstellerteilenummerBC856AQCZ
Bestellnummer3884230
ProduktpaletteBC856xQC Series
Technisches Datenblatt
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| Menge | |
|---|---|
| 5+ | CHF 0.152 |
| 10+ | CHF 0.0919 |
| 100+ | CHF 0.0573 |
| 500+ | CHF 0.0414 |
| 1000+ | CHF 0.0325 |
| 5000+ | CHF 0.0297 |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
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Produktspezifikationen
HerstellerNEXPERIA
HerstellerteilenummerBC856AQCZ
Bestellnummer3884230
ProduktpaletteBC856xQC Series
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätPNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.65V
Dauerkollektorstrom100mA
Verlustleistung450mW
Bauform - TransistorDFN1412D
TransistormontageOberflächenmontage
Anzahl der Pins3Pin(s)
Übergangsfrequenz100MHz
DC-Stromverstärkung (hFE), min.125hFE
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteBC856xQC Series
Qualifikation-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
PNP
Dauerkollektorstrom
100mA
Bauform - Transistor
DFN1412D
Anzahl der Pins
3Pin(s)
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
125hFE
Produktpalette
BC856xQC Series
MSL
-
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
65V
Verlustleistung
450mW
Transistormontage
Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz
100MHz
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000136
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