Seite drucken
BC807-40QCZ
Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 500 mA, 480 mW, DFN1412D, Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerNEXPERIA
HerstellerteilenummerBC807-40QCZ
Bestellnummer3748628RL
ProduktpaletteBC807QC Series
Technisches Datenblatt
Bestellbar
Standardlieferzeit des Herstellers: 10 Woche(n)
Benachrichtigen Sie mich, wenn das Produkt wieder vorrätig ist
| Menge | |
|---|---|
| 5000+ | CHF 0.0387 |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 5000
Mehrere: 5000
CHF 198.50 (ohne MwSt.)
Für dieses Produkte fällt eine Re-Reeling-Gebühr in Höhe von CHF 5.00 an
Bestellnr. /Hinweis zur Position hinzufügen
Nur für diese Bestellung zu Ihrer Auftragsbestätigung, Rechnung und Versandanzeige hinzugefügt.
Diese Nummer wird der Auftragsbestätigung, der Rechnung, dem Versandschein, der Webbestätigungs-E-Mail und dem Etikett hinzugefügt.
Produktspezifikationen
HerstellerNEXPERIA
HerstellerteilenummerBC807-40QCZ
Bestellnummer3748628RL
ProduktpaletteBC807QC Series
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätPNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.45V
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo45V
DC-Kollektorstrom500mA
Dauerkollektorstrom500mA
Verlustleistung Pd480mW
Verlustleistung480mW
Bauform - TransistorDFN1412D
TransistormontageOberflächenmontage
Anzahl der Pins3Pin(s)
Übergangsfrequenz80MHz
DC-Stromverstärkung hFE250hFE
DC-Stromverstärkung (hFE), min.250hFE
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteBC807QC Series
QualifikationAEC-Q101
Qualifizierungsstandard der AutomobilindustrieAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
PNP
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo
45V
Dauerkollektorstrom
500mA
Verlustleistung
480mW
Transistormontage
Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz
80MHz
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
250hFE
Produktpalette
BC807QC Series
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
45V
DC-Kollektorstrom
500mA
Verlustleistung Pd
480mW
Bauform - Transistor
DFN1412D
Anzahl der Pins
3Pin(s)
DC-Stromverstärkung hFE
250hFE
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
AEC-Q101
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000033
Produktnachverfolgung