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2N2222A
Bipolartransistor (BJT), einfach, hohe Schaltfrequenz, NPN, 40V, 1.2W, 800mA, TO-18
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| Menge | |
|---|---|
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| 10+ | CHF 0.865 |
| 100+ | CHF 0.619 |
| 500+ | CHF 0.433 |
| 1000+ | CHF 0.309 |
| 5000+ | CHF 0.270 |
Preiseinheit:Stück
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Produktspezifikationen
HerstellerMULTICOMP PRO
Herstellerteilenummer2N2222A
Bestellnummer9207120
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätNPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max.40V
Dauerkollektorstrom800mA
Verlustleistung1.2W
Bauform - TransistorTO-18
TransistormontageDurchsteckmontage
Anzahl der Pins3Pin(s)
Übergangsfrequenz300MHz
DC-Stromverstärkung (hFE), min.100hFE
Betriebstemperatur, max.200°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Produktbeschreibung
Dieser planare Silizium-NPN-Schalttransistor ist ausgelegt für Schalt- und lineare Verstärkeranwendungen sowie für DC- und VHF-Verstärkeranwendungen.
- Multicomp Pro-Produkte werden mit 4.6 von 5 Sternen bewertet
- 12 Monate eingeschränkte Herstellergewährleistung *detaillierte Informationen sind den Geschäftsbedingungen zu entnehmen
- 96% der Kunden würden dieses Produkt einem Freund weiter empfehlen
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
NPN
Dauerkollektorstrom
800mA
Bauform - Transistor
TO-18
Anzahl der Pins
3Pin(s)
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
100hFE
Produktpalette
-
MSL
-
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
40V
Verlustleistung
1.2W
Transistormontage
Durchsteckmontage
Übergangsfrequenz
300MHz
Betriebstemperatur, max.
200°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Technische Dokumente (1)
Alternativen für 2N2222A
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Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:India
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:India
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.009072