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Produktspezifikationen
HerstellerMICRON
HerstellerteilenummerMT62F1G32D2DS-023 AIT:C
Bestellnummer4242616
DRAM-AusführungMobile LPDDR5
Speicherdichte32Gbit
Speicherkonfiguration1G x 32 Bit
Taktfrequenz, max.4.266GHz
IC-Gehäuse / BauformTFBGA
Anzahl der Pins315Pin(s)
Versorgungsspannung, nom.1.05V
IC-MontageOberflächenmontage
Betriebstemperatur, min.-40°C
Betriebstemperatur, max.95°C
Produktpalette-
SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)
Produktbeschreibung
- Automotive mobile LPDDR5/LPDDR5X SDRAM
- 17.1GB/s maximum bandwidth per channel, selectable CKR (WCK:CK = 2:1 or 4:1)
- Singlex16 channel/die, double-data-rate command/address entry, differential data clock (WCK_t/WCK_c)
- Background ZQ calibration/command-based ZQ calibration
- Interface-LVSTL 0.5/0.3, I/O type: low-swing single-ended, VSS terminated
- DVFSC: Dynamic voltage frequency scaling core, data copy, write X
- Single-ended CK, single-ended WCK, and single-ended RDQS, AEC-Q100 qualified
- 4GB (32Gb) total density, 8533Mb/s data rate per pin, 1.05V VDD2/ 0.50V VDDQ operating voltage
- 315-ball TFBGA package
- Operating temperature is -40°C ≤ TC ≤ +95°C
Technische Spezifikationen
DRAM-Ausführung
Mobile LPDDR5
Speicherkonfiguration
1G x 32 Bit
IC-Gehäuse / Bauform
TFBGA
Versorgungsspannung, nom.
1.05V
Betriebstemperatur, min.
-40°C
Produktpalette
-
SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Speicherdichte
32Gbit
Taktfrequenz, max.
4.266GHz
Anzahl der Pins
315Pin(s)
IC-Montage
Oberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.
95°C
MSL
MSL 3 - 168 Stunden
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Taiwan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Taiwan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85423239
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Dec-2015)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.001361