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MT53E256M32D2FW-046 AAT:B
DRAM, Mobile LPDDR4, 8 Gbit, 256M x 32 Bit, 2.133 GHz, TFBGA, 200 Pin(s)
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerMICRON
HerstellerteilenummerMT53E256M32D2FW-046 AAT:B
Bestellnummer4050879
Technisches Datenblatt
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | CHF 17.600 |
| 10+ | CHF 15.790 |
| 25+ | CHF 15.380 |
| 50+ | CHF 14.530 |
| 100+ | CHF 14.040 |
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Produktspezifikationen
HerstellerMICRON
HerstellerteilenummerMT53E256M32D2FW-046 AAT:B
Bestellnummer4050879
Technisches Datenblatt
DRAM-AusführungMobile LPDDR4
Speicherdichte8Gbit
Speicherkonfiguration256M x 32 Bit
Taktfrequenz, max.2.133GHz
IC-Gehäuse / BauformTFBGA
Anzahl der Pins200Pin(s)
Versorgungsspannung, nom.1.1V
IC-MontageOberflächenmontage
Betriebstemperatur, min.-40°C
Betriebstemperatur, max.105°C
Produktpalette-
SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)
Produktbeschreibung
MT53E256M32D2FW-046 AAT:B is a 4Gb mobile low-power DDR4 SDRAM with low VDDQ. It is a high-speed CMOS, dynamic random-access memory. This memory is internally configured with x16 I/O, 8-banks. Each of the x16’s 536,870,912-bit banks are organized as 32,768 rows by 1024 columns by 16bits. It has directed per-bank refresh for concurrent bank operation and ease of command scheduling. This memory has on-chip temperature sensor to control self refresh rate. It has clock-stop capability.
- Operating voltage range is 1.10V (VDD2)/0.60V or 1.10V (VDDQ)
- 256Meg x 32 configuration, LPDDR4, 2die addressing, B design
- Packaging style is 200-ball TFBGA 10 x 14.5 x 1.1mm (Ø0.40 SMD)
- Cycle time is 468ps at RL = 36/40, partial-array self refresh (PASR)
- Operating temperature range is –40°C to +105°C, automotive qualified
- Clock rate is 2133MHz, data rate per pin is 4266Mb/s
- Ultra-low-voltage core and I/O power supplies
- 16n prefetch DDR architecture, 8 internal banks per channel for concurrent operation
- Single-data-rate CMD/ADR entry, bidirectional/differential data strobe per byte lane
- Programmable READ and WRITE latencies (RL/WL), selectable output drive strength (DS)
Technische Spezifikationen
DRAM-Ausführung
Mobile LPDDR4
Speicherkonfiguration
256M x 32 Bit
IC-Gehäuse / Bauform
TFBGA
Versorgungsspannung, nom.
1.1V
Betriebstemperatur, min.
-40°C
Produktpalette
-
Speicherdichte
8Gbit
Taktfrequenz, max.
2.133GHz
Anzahl der Pins
200Pin(s)
IC-Montage
Oberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.
105°C
SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Taiwan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Taiwan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85423239
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Dec-2015)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.002421