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MSC080SMA330B4N
Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 43 A, 3.3 kV, 0.106 ohm, TO-247
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerMICROCHIP
HerstellerteilenummerMSC080SMA330B4N
Bestellnummer4751112
ProduktpalettemSiC Series
Technisches Datenblatt
Bestellbar
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | CHF 51.360 |
| 25+ | CHF 49.360 |
| 100+ | CHF 47.360 |
| 250+ | CHF 41.210 |
Preiseinheit:Stück
Minimum: 1
Mehrere: 1
CHF 51.36 (ohne MwSt.)
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Produktspezifikationen
HerstellerMICROCHIP
HerstellerteilenummerMSC080SMA330B4N
Bestellnummer4751112
ProduktpalettemSiC Series
Technisches Datenblatt
MOSFET-Modul-KonfigurationEins
Kanaltypn-Kanal
Dauer-Drainstrom Id43A
Drain-Source-Spannung Vds3.3kV
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.106ohm
Bauform - TransistorTO-247
Anzahl der Pins4Pin(s)
Rds(on)-Prüfspannung20V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.5V
Verlustleistung439W
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpalettemSiC Series
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Technische Spezifikationen
MOSFET-Modul-Konfiguration
Eins
Dauer-Drainstrom Id
43A
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.106ohm
Anzahl der Pins
4Pin(s)
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
5V
Betriebstemperatur, max.
150°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Kanaltyp
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds
3.3kV
Bauform - Transistor
TO-247
Rds(on)-Prüfspannung
20V
Verlustleistung
439W
Produktpalette
mSiC Series
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Keine Angabe
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000001
Produktnachverfolgung