DN3525N8-G

DN3525N8-G ist ein vertikaler n-Kanal-DMOS-FET (Verarmungstyp), der eine fortschrittliche, vertikale DMOS-Struktur und das bewährte Silizium-Gate-Herstellungsverfahren von Supertex verwendet. Mit dieser Kombination entsteht ein Baustein, der die Strombelastbarkeit von Bipolartransistoren und die hohe Eingangsimpedanz sowie den positiven Temperaturkoeffizienten von MOS-Bausteinen bietet. Dieser Baustein ist geschützt vor thermischem Durchgehen und thermisch induziertem Durchbruch zweiter Art. Der DMOS-FET eignet sich hervorragend für zahlreiche Schalt- und Verstärkungsanwendungen, in denen eine hohe Durchbruchspannung, eine hohe Eingangsimpedanz, eine niedrige Eingangskapazität und hohe Schaltfrequenzen wünschenswert sind.

• Niedriger ON-Widerstand
• Kein Durchbruch zweiter Art
• Niedriger Eingangs- und Ausgangsleckstrom

Anwendungen

Power-Management, Kommunikation & Netzwerke