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IXFT60N60X3HV
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 60 A, 0.051 ohm, TO-268HV, Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerLITTELFUSE
HerstellerteilenummerIXFT60N60X3HV
Bestellnummer3996609
ProduktpaletteHiPerFET Series
Technisches Datenblatt
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | CHF 8.720 |
| 5+ | CHF 6.990 |
| 10+ | CHF 5.260 |
| 50+ | CHF 4.880 |
| 100+ | CHF 4.500 |
Preiseinheit:Stück
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Produktspezifikationen
HerstellerLITTELFUSE
HerstellerteilenummerIXFT60N60X3HV
Bestellnummer3996609
ProduktpaletteHiPerFET Series
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds600V
Dauer-Drainstrom Id60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.051ohm
Bauform - TransistorTO-268HV
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.5V
Verlustleistung625W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteHiPerFET Series
Qualifikation-
SVHCTo Be Advised
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
60A
Bauform - Transistor
TO-268HV
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
625W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
Drain-Source-Spannung Vds
600V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.051ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
5V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
HiPerFET Series
SVHC
To Be Advised
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:South Korea
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:South Korea
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:To Be Advised
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.0001
Produktnachverfolgung