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IXFP12N65X2
Leistungs-MOSFET, X2 Cls, n-Kanal, 650 V, 12 A, 0.31 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerIXYS SEMICONDUCTOR
HerstellerteilenummerIXFP12N65X2
Bestellnummer3438390
ProduktpaletteX2-Class HiperFET
Technisches Datenblatt
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | CHF 3.120 |
| 10+ | CHF 1.670 |
| 100+ | CHF 1.610 |
Preiseinheit:Stück
Minimum: 1
Mehrere: 1
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Produktspezifikationen
HerstellerIXYS SEMICONDUCTOR
HerstellerteilenummerIXFP12N65X2
Bestellnummer3438390
ProduktpaletteX2-Class HiperFET
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds650V
Dauer-Drainstrom Id12A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.31ohm
Bauform - TransistorTO-220
TransistormontageDurchsteckmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.5V
Verlustleistung180W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteX2-Class HiperFET
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (12-Jan-2017)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
12A
Bauform - Transistor
TO-220
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
180W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
Drain-Source-Spannung Vds
650V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.31ohm
Transistormontage
Durchsteckmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
5V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
X2-Class HiperFET
SVHC
No SVHC (12-Jan-2017)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:South Korea
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:South Korea
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (12-Jan-2017)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.004