IS61WV51216BLL-10TLI

IS61WV51216BLL-10TLI ist ein statischer 8MB-High-Speed-RAM, der als 512K Wörter x 16 Bit organisiert ist. Dieser RAM wird hergestellt mithilfe der leistungsstarken CMOS-Technologie von ISSI. Mit diesem sehr zuverlässigen Prozess gekoppelt mit innovativen Schaltungsdesigntechniken entsteht ein leistungsstarker und energiesparender Baustein. Wenn CE HIGH ist (nicht ausgewählt), wird der Baustein in einen Standby-Modus versetzt, in dem die Verlustleistung nach unten reduziert wird mit CMOS-Eingangspegeln. Eine einfache Speichererweiterung ist verfügbar durch Chip Enable- und Output Enable-Eingänge, CE und OE. Der Active-LOW-Write Enable (WE) steuert sowohl das Schreiben als auch das Lesen des Speichers. Ein Datenbyte ermöglicht Zugriff auf oberes Byte (UB) und unteres Byte (LB).

• Leistungsstarkes, energiesparendes CMOS-Verfahren
• Mehrere Stromversorgungs- und Erdungsstifte mittig für bessere Störfestigkeit
• Einfache Speichererweiterung mit CE- und OE-Optionen
• CE-Abschaltung
• Vollständig statischer Betrieb, kein Takt und keine Aktualisierung erforderlich
• TTL-kompatible Eingänge und Ausgänge
• Datensteuerung für obere und untere Bytes

Anwendungen

Industrie, Fahrzeugelektronik