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SPD08N50C3ATMA1
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 7.6 A, 0.6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerSPD08N50C3ATMA1
Bestellnummer1664112RL
ProduktpaletteCoolMOS Series
Auch bekannt alsSPD08N50C3 , SP001117776
Technisches Datenblatt
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| Menge | |
|---|---|
| 100+ | CHF 0.602 |
| 250+ | CHF 1.200 |
| 500+ | CHF 0.584 |
| 1000+ | CHF 0.573 |
| 2000+ | CHF 0.978 |
| 5000+ | CHF 0.935 |
| 9000+ | CHF 0.893 |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 100
Mehrere: 1
CHF 65.20 (ohne MwSt.)
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerSPD08N50C3ATMA1
Bestellnummer1664112RL
ProduktpaletteCoolMOS Series
Auch bekannt alsSPD08N50C3 , SP001117776
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds500V
Dauer-Drainstrom Id7.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.6ohm
Bauform - TransistorTO-252 (DPAK)
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.3.9V
Verlustleistung83W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteCoolMOS Series
Qualifikation-
Produktbeschreibung
The SPD08N50C3 is a CoolMOS™ N-channel Power MOSFET comes with a new revolutionary high voltage technology. It offers ultra-low gate charge and ultra-low effective capacitances. The 500V CoolMOS™ C3 is Infineon's third series of CoolMOS™ with market entry in 2001. C3 is the “working horse" of the portfolio.
- Low specific ON-state resistance
- Very low energy storage in output capacitance (Eoss) @ 400V
- Low gate charge (Qg)
- Field proven CoolMOS™ quality
- High efficiency and power density
- High reliability
- Ease of use
- Periodic avalanche rated
- Extreme dV/dt rated
- Improved transconductance
- Qualified according to JEDEC for target applications
- Green device
Anwendungen
Power-Management, Kommunikation & Netzwerke, Unterhaltungselektronik
Hinweise
Replacement for 500V CoolMOS™ C3 is 500V CoolMOS™ CE.
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
7.6A
Bauform - Transistor
TO-252 (DPAK)
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
83W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
Drain-Source-Spannung Vds
500V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.6ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
3.9V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
CoolMOS Series
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Keine Angabe
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000907
Produktnachverfolgung