IRLR2705TRPBF
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 28 A, 0.04 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
Ihr Bedarf geht darüber hinaus?
| Menge | |
|---|---|
| 5+ | CHF 0.927 |
| 50+ | CHF 0.619 |
| 100+ | CHF 0.409 |
| 500+ | CHF 0.316 |
| 1000+ | CHF 0.286 |
Produktspezifikationen
Produktbeschreibung
Beim Modell IRLR2705TRPBF handelt es sich um einen einfachen HEXFET®-n-Kanal-Leistungs-MOSFET der fünften Generation, der fortschrittliche Verfahrenstechniken verwendet, um den niedrigsten möglichen Durchlasswiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. In Kombination mit der hohen Schaltfrequenz und dem robusten Design entsteht so ein äußerst effizienter Baustein für zahlreiche Anwendungen. Das Gehäuse eignet sich zur Oberflächenmontage mittels Dampfphasen-, Infrarot- oder Wellenlötverfahren. In typischen SMD-Anwendungen sind Verlustleistungspegel von bis zu 1.5W möglich.
- Logikpegel-Gate-Treiber
- Fortschrittliche Verfahrenstechnologie
- Vollständig Avalanche-fähig
- Dynamische Spannungsänderungsrate (dv/dt)
Anwendungen
Power-Management
Technische Spezifikationen
n-Kanal
28A
TO-252AA
10V
68W
175°C
-
No SVHC (21-Jan-2025)
55V
0.04ohm
Oberflächenmontage
2V
3Pin(s)
-
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (3)
Alternativen für IRLR2705TRPBF
1 Produkt(e) gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
RoHS
RoHS
Produkt-Konformitätszertifikat