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HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIRFTS9342TRPBF
Bestellnummer2114660
Auch bekannt alsSP001571652
Technisches Datenblatt
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| Menge | |
|---|---|
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| 10+ | CHF 0.359 |
| 100+ | CHF 0.176 |
| 500+ | CHF 0.172 |
| 1000+ | CHF 0.156 |
| 5000+ | CHF 0.132 |
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIRFTS9342TRPBF
Bestellnummer2114660
Auch bekannt alsSP001571652
Technisches Datenblatt
Kanaltypp-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds30V
Dauer-Drainstrom Id5.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.04ohm
Bauform - TransistorTSOP
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.1.3V
Verlustleistung2W
Anzahl der Pins6Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
IRFTS9342TRPBF ist ein einfacher HEXFET®-p-Kanal-Leistungs-MOSFET, der ein verbessertes Gate-, Avalanche- und dynamisches dV/dt-Verhalten bietet. Dieser Baustein eignet sich für batteriebetriebene Schaltungen, Halbbrücken- und Vollbrücken-Topologien, synchrone Gleichrichteranwendungen und DC/DC- sowie AC/DC-Wandler.
- SOA-Schutz mit vollständig charakterisierter Kapazität und Avalanche-Verhalten
- Verbessertes dV/dt- und di/dt-Verhalten der Body-Diode
- Pinbelegung gemäß Industriestandard
Anwendungen
Motorantrieb & -steuerung, Power-Management
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
p-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
5.8A
Bauform - Transistor
TSOP
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
2W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain-Source-Spannung Vds
30V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.04ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
1.3V
Anzahl der Pins
6Pin(s)
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Alternativen für IRFTS9342TRPBF
1 Produkt(e) gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000033
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