IRFR9024NTRPBF
Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 11 A, 0.175 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
Ihr Bedarf geht darüber hinaus?
| Menge | |
|---|---|
| 1+ | CHF 1.000 |
| 10+ | CHF 0.690 |
| 100+ | CHF 0.501 |
| 500+ | CHF 0.390 |
| 1000+ | CHF 0.356 |
| 5000+ | CHF 0.282 |
Produktspezifikationen
Produktbeschreibung
Beim Modell IRFR9024NTRPBF handelt es sich um einen einfachen HEXFET®-p-Kanal-Leistungs-MOSFET der fünften Generation, der fortschrittliche Verfahrenstechniken verwendet, um einen äußerst niedrigen Durchgangswiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. In Kombination mit der hohen Schaltfrequenz und dem robusten Design entsteht so ein äußerst effizienter und zuverlässiger Baustein. Das Gehäuse eignet sich zur Oberflächenmontage mittels Dampfphasen-, Infrarot- oder Wellenlötverfahren. In typischen SMD-Anwendungen sind Verlustleistungspegel von bis zu 1.5W möglich.
- Fortschrittliche Verfahrenstechnologie
- Vollständig Avalanche-fähig
- Niedriger statischer Drain/Source-Durchgangswiderstand
- Dynamische Spannungsänderungsrate (dv/dt)
Anwendungen
Fahrzeugelektronik, Power-Management
Technische Spezifikationen
p-Kanal
11A
TO-252AA
10V
38W
150°C
-
No SVHC (21-Jan-2025)
55V
0.175ohm
Oberflächenmontage
4V
3Pin(s)
-
-
Technische Dokumente (2)
Alternativen für IRFR9024NTRPBF
1 Produkt(e) gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
RoHS
RoHS
Produkt-Konformitätszertifikat