IRFR1205TRPBF
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 44 A, 0.027 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | CHF 0.927 |
| 10+ | CHF 0.720 |
| 100+ | CHF 0.604 |
| 500+ | CHF 0.473 |
| 1000+ | CHF 0.432 |
| 5000+ | CHF 0.391 |
Produktspezifikationen
Produktbeschreibung
Beim Modell IRFR1205TRPBF handelt es sich um einen einfachen HEXFET®-n-Kanal-Leistungs-MOSFET der fünften Generation, der fortschrittliche Verfahrenstechniken verwendet, um den niedrigsten möglichen Durchgangswiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. In Kombination mit der hohen Schaltfrequenz und dem robusten Design entsteht so ein äußerst effizienter Baustein für zahlreiche Anwendungen. Das Gehäuse eignet sich zur Oberflächenmontage mittels Dampfphasen-, Infrarot- oder Wellenlötverfahren. In typischen SMD-Anwendungen sind Verlustleistungspegel von bis zu 1.5W möglich.
- Vollständig Avalanche-fähig
- Niedriger statischer Drain/Source-Durchgangswiderstand
- Dynamische Spannungsänderungsrate (dv/dt)
Anwendungen
Power-Management
Technische Spezifikationen
n-Kanal
44A
TO-252AA
10V
107W
175°C
-
No SVHC (21-Jan-2025)
55V
0.027ohm
Oberflächenmontage
4V
3Pin(s)
-
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (3)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Mexico
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
RoHS
RoHS
Produkt-Konformitätszertifikat