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IRFP260NPBF
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 50 A, 0.04 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIRFP260NPBF
Bestellnummer8649294
ProduktpaletteHEXFET Series
Auch bekannt alsSP001552016
Technisches Datenblatt
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | CHF 4.820 |
| 10+ | CHF 2.660 |
| 100+ | CHF 2.280 |
| 500+ | CHF 1.790 |
| 1000+ | CHF 1.760 |
Preiseinheit:Stück
Minimum: 1
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIRFP260NPBF
Bestellnummer8649294
ProduktpaletteHEXFET Series
Auch bekannt alsSP001552016
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds200V
Dauer-Drainstrom Id50A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.04ohm
Bauform - TransistorTO-247AC
TransistormontageDurchsteckmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.4V
Verlustleistung300W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.175°C
ProduktpaletteHEXFET Series
Qualifikation-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
The IRFP260NPBF is 200V single N channel HEXFET power MOSFET in TO-247AC package. This MOSFET features extremely low on resistance per silicon area, dynamic dv/dt rating, ease of Paralleling, rugged, fast switching, simple drive requirements and fully avalanche rated as a result, power MOSFET are well know to provide extremely efficiency and reliability which can be used in wide variety of applications.
- Drain to source voltage (Vds) of 200V
- Gate to source voltage of ±20V
- On resistance Rds(on) of 40mohm at Vgs 10V
- Power dissipation Pd of 300W at 25°C
- Continuous drain current Id of 50A at Vgs 10V and 25°C
- Operating junction temperature range from -55°C to 175°C
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
50A
Bauform - Transistor
TO-247AC
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
300W
Betriebstemperatur, max.
175°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain-Source-Spannung Vds
200V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.04ohm
Transistormontage
Durchsteckmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
4V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
HEXFET Series
MSL
-
Technische Dokumente (3)
Alternativen für IRFP260NPBF
1 Produkt(e) gefunden
Zugehörige Produkte
2 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.00567