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IRFHM3911TRPBF
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.2 A, 0.115 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | CHF 0.908 |
| 10+ | CHF 0.538 |
| 100+ | CHF 0.377 |
| 500+ | CHF 0.295 |
| 1000+ | CHF 0.267 |
| 5000+ | CHF 0.200 |
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIRFHM3911TRPBF
Bestellnummer2577197
ProduktpaletteHEXFET
Auch bekannt alsSP001575850
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds100V
Dauer-Drainstrom Id3.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.115ohm
Bauform - TransistorPQFN
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.4V
Verlustleistung2.8W
Anzahl der Pins8Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteHEXFET
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
Warnungen und Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab. Das Produkt ist von Rabattaktionen ausgenommen.
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
3.2A
Bauform - Transistor
PQFN
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
2.8W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain-Source-Spannung Vds
100V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.115ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
4V
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Produktpalette
HEXFET
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Mexico
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Mexico
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.0001
Produktnachverfolgung