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IPS70R600P7SAKMA1
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 8.5 A, 0.49 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIPS70R600P7SAKMA1
Bestellnummer2986485
ProduktpaletteCoolMOS P7
Auch bekannt alsIPS70R600P7S, SP001499714
Technisches Datenblatt
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| Menge | |
|---|---|
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| 100+ | CHF 0.207 |
| 500+ | CHF 0.199 |
| 1000+ | CHF 0.195 |
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIPS70R600P7SAKMA1
Bestellnummer2986485
ProduktpaletteCoolMOS P7
Auch bekannt alsIPS70R600P7S, SP001499714
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds700V
Dauer-Drainstrom Id8.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.49ohm
Bauform - TransistorTO-251
TransistormontageDurchsteckmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.3V
Verlustleistung43.1W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteCoolMOS P7
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
8.5A
Bauform - Transistor
TO-251
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
43.1W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain-Source-Spannung Vds
700V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.49ohm
Transistormontage
Durchsteckmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
3V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
CoolMOS P7
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (1)
Alternativen für IPS70R600P7SAKMA1
1 Produkt(e) gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.00001