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IPS60R280PFD7SAKMA1
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.233 ohm, TO-251 (IPAK), Durchsteckmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIPS60R280PFD7SAKMA1
Bestellnummer3585357
ProduktpaletteCoolMOS PFD7 SJ
Auch bekannt alsIPS60R280PFD7S, SP005354003
Technisches Datenblatt
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | CHF 1.030 |
| 10+ | CHF 0.842 |
| 100+ | CHF 0.693 |
Preiseinheit:Stück
Minimum: 1
Mehrere: 1
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIPS60R280PFD7SAKMA1
Bestellnummer3585357
ProduktpaletteCoolMOS PFD7 SJ
Auch bekannt alsIPS60R280PFD7S, SP005354003
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds600V
Dauer-Drainstrom Id12A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.233ohm
Bauform - TransistorTO-251 (IPAK)
TransistormontageDurchsteckmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.4V
Verlustleistung51W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteCoolMOS PFD7 SJ
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
12A
Bauform - Transistor
TO-251 (IPAK)
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
51W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
Drain-Source-Spannung Vds
600V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.233ohm
Transistormontage
Durchsteckmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
4V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
CoolMOS PFD7 SJ
SVHC
No SVHC (27-Jun-2018)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.003