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IPP057N06N3GXKSA1
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 5700 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | CHF 1.390 |
| 10+ | CHF 1.160 |
| 100+ | CHF 0.919 |
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIPP057N06N3GXKSA1
Bestellnummer1775624
ProduktpaletteOptiMOS
Auch bekannt alsIPP057N06N3 G, SP000680808
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds60V
Dauer-Drainstrom Id80A
Drain-Source-Durchgangswiderstand5700µohm
Bauform - TransistorTO-220
TransistormontageDurchsteckmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.3V
Verlustleistung115W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.175°C
ProduktpaletteOptiMOS
Qualifikation-
MSL-
SVHCNo SVHC (23-Jan-2024)
Alternativen für IPP057N06N3GXKSA1
5 Produkte gefunden
Produktbeschreibung
Anwendungen
Netzteile, DC/DC-Wandler
Warnungen und Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
80A
Bauform - Transistor
TO-220
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
115W
Betriebstemperatur, max.
175°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (23-Jan-2024)
Drain-Source-Spannung Vds
60V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
5700µohm
Transistormontage
Durchsteckmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
3V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
OptiMOS
MSL
-
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (23-Jan-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.014175
Produktnachverfolgung