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IPN70R360P7SATMA1
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 12.5 A, 0.36 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIPN70R360P7SATMA1
Bestellnummer2986473
ProduktpaletteCoolMOS P7
Auch bekannt alsIPN70R360P7S, SP001657468
Technisches Datenblatt
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| Menge | |
|---|---|
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| 50+ | CHF 0.596 |
| 100+ | CHF 0.444 |
| 500+ | CHF 0.323 |
| 1500+ | CHF 0.322 |
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIPN70R360P7SATMA1
Bestellnummer2986473
ProduktpaletteCoolMOS P7
Auch bekannt alsIPN70R360P7S, SP001657468
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds700V
Dauer-Drainstrom Id12.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.36ohm
Bauform - TransistorSOT-223
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.3V
Verlustleistung7.2W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteCoolMOS P7
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
12.5A
Bauform - Transistor
SOT-223
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
7.2W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain-Source-Spannung Vds
700V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.36ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
3V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
CoolMOS P7
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.00001
Produktnachverfolgung