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IPB048N15N5ATMA1
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 120 A, 4800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIPB048N15N5ATMA1
Bestellnummer4319204
ProduktpaletteOptiMOS 5 Series
Technisches Datenblatt
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| Menge | |
|---|---|
| 1000+ | CHF 2.640 |
| 3000+ | CHF 2.580 |
Preiseinheit:Stück (gegurtet auf Rolle - ganze Rolle)
Minimum: 1000
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIPB048N15N5ATMA1
Bestellnummer4319204
ProduktpaletteOptiMOS 5 Series
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds150V
Dauer-Drainstrom Id120A
Drain-Source-Durchgangswiderstand4800µohm
Bauform - TransistorTO-263 (D2PAK)
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.3.8V
Verlustleistung300W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.175°C
ProduktpaletteOptiMOS 5 Series
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
120A
Bauform - Transistor
TO-263 (D2PAK)
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
300W
Betriebstemperatur, max.
175°C
Qualifikation
-
Drain-Source-Spannung Vds
150V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
4800µohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
3.8V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
OptiMOS 5 Series
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.001
Produktnachverfolgung