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HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIMLT65R015M2HXTMA1
Bestellnummer4445613
ProduktpaletteCoolSiC G2 Series
Auch bekannt alsIMLT65R015M2H, SP005968251
Technisches Datenblatt
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Menge | |
---|---|
1+ | CHF 14.430 |
5+ | CHF 13.220 |
10+ | CHF 12.000 |
50+ | CHF 11.420 |
100+ | CHF 10.830 |
250+ | CHF 10.620 |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 1
Mehrere: 1
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIMLT65R015M2HXTMA1
Bestellnummer4445613
ProduktpaletteCoolSiC G2 Series
Auch bekannt alsIMLT65R015M2H, SP005968251
Technisches Datenblatt
MOSFET-Modul-KonfigurationEins
Kanaltypn-Kanal
Dauer-Drainstrom Id142A
Drain-Source-Spannung Vds650V
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.0132ohm
Bauform - TransistorHDSOP
Anzahl der Pins16Pin(s)
Rds(on)-Prüfspannung20V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.5.6V
Verlustleistung600W
Betriebstemperatur, max.175°C
ProduktpaletteCoolSiC G2 Series
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
MOSFET-Modul-Konfiguration
Eins
Dauer-Drainstrom Id
142A
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.0132ohm
Anzahl der Pins
16Pin(s)
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
5.6V
Betriebstemperatur, max.
175°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Kanaltyp
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds
650V
Bauform - Transistor
HDSOP
Rds(on)-Prüfspannung
20V
Verlustleistung
600W
Produktpalette
CoolSiC G2 Series
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.0007
Produktnachverfolgung