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IMLT40R045M2HXTMA1
Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 43 A, 400 V, 0.0562 ohm, HDSOP
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIMLT40R045M2HXTMA1
Bestellnummer4803603
ProduktpaletteCoolSiC G2 Series
Technisches Datenblatt
Bestellbar
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | CHF 3.760 |
| 5+ | CHF 3.540 |
| 10+ | CHF 3.330 |
| 50+ | CHF 3.220 |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 1
Mehrere: 1
CHF 3.76 (ohne MwSt.)
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIMLT40R045M2HXTMA1
Bestellnummer4803603
ProduktpaletteCoolSiC G2 Series
Technisches Datenblatt
MOSFET-Modul-KonfigurationEins
Kanaltypn-Kanal
Dauer-Drainstrom Id43A
Drain-Source-Spannung Vds400V
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.0562ohm
Bauform - TransistorHDSOP
Anzahl der Pins16Pin(s)
Rds(on)-Prüfspannung18V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.5.6V
Verlustleistung150W
Betriebstemperatur, max.175°C
ProduktpaletteCoolSiC G2 Series
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Technische Spezifikationen
MOSFET-Modul-Konfiguration
Eins
Dauer-Drainstrom Id
43A
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.0562ohm
Anzahl der Pins
16Pin(s)
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
5.6V
Betriebstemperatur, max.
175°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Kanaltyp
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds
400V
Bauform - Transistor
HDSOP
Rds(on)-Prüfspannung
18V
Verlustleistung
150W
Produktpalette
CoolSiC G2 Series
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000001
Produktnachverfolgung