IKW50N60H3FKSA1

Beim Modell IKW50N60H3 handelt es sich um einen High-Speed-IGBT in Trench- und Feldstop-Technologie mit antiparalleler Soft-Recovery-Diode mit kurzer Erholzeit. Der High-Speed-Baustein wird verwendet, um die Größe der aktiven Bauelemente (25 bis 70kHz) zu reduzieren. Er bietet den besten Kompromiss zwischen Schalt- und Leitungsverlusten. Das wichtigste Merkmal dieses Modells ist das Ausschaltverhalten, das dem eines MOSFET ähnelt, wodurch geringe Verluste während des Ausschaltvorgangs erzielt werden.

• Speziell entwickelt als Ersatz für planare MOSFETs in Anwendungen mit Schaltfrequenzen von unter 70kHz
• Geringe Schaltverluste für hohen Wirkungsgrad
• Schnelles Schalten mit niedrigen EMV-Emissionen
• Optimierte Diode für Zielanwendungen, wodurch eine weitere Verbesserung im Bezug auf Schaltverluste erreicht wird
• Auswahl eines niedrigen Gate-Widerstands (ab 5 Ohm) möglich, wobei das hervorragende Schaltverhalten bestehen bleibt
• Kurzschlussfest
• Hervorragende Leistung
• Geringe Schalt- und Leitungsverluste
• Sehr gutes EMV-Verhalten
• Niedriger Gate-Widerstand für reduzierte Verzögerungszeit und weniger Spannungsüberschwingen
• Klassenbester IGBT-Wirkungsgrad und klassenbestes EMV-Verhalten
• Erhältlich mit und ohne Freilaufdiode für größere Designfreiheit
• Umweltfreundliches Produkt
• Halogenfrei

Anwendungen

Alternative Energien, Power-Management

Warnungen und Hinweise

Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab