IKW25T120FKSA1

Beim Modell IKW25T120 handelt es sich um einen verlustarmen IGBT in TrenchStop®- und Feldstop-Technologie mit antiparalleler Emitter-gesteuerter HE-Diode mit sanfter, schneller Erholung. Die TrenchStop®-IGBT-Technologie sorgt für eine erhebliche Verbesserung der statischen und dynamischen Leistung des Bausteins dank Kombination aus TrenchStop®-Zelle und Feldstop-Konzept. Zusätzlich ermöglicht die Kombination aus IGBT und Emitter-gesteuerter Soft-Recovery-Diode eine weitere Minimierung der Einschaltverluste. Dank eines optimalen Kompromisses zwischen Schalt- und Leitungsverlusten wird der höchstmögliche Wirkungsgrad erreicht.

• Sehr niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (Vce (sat)) für geringere Leitungsverluste
• Geringe Schaltverluste
• Einfache Parallelschaltung aufgrund des positiven Temperaturkoeffizienten in Vce(sat)
• Sehr sanfte, schnelle Erholung der antiparallelen Emitter-gesteuerten HE-Diode
• Sehr robust, temperaturstabil
• Niedrige EMMA-Emissionen
• Niedrige Gate-Ladung
• Sehr enge Parameterverteilung
• Höchster Wirkungsgrad - Niedrige Leitungs- und Schaltverluste
• Hohe Zuverlässigkeit
• 10µs Kurzschlussfestigkeit

Anwendungen

Power-Management, Alternative Energien, Motorantrieb & -steuerung, Unterhaltungselektronik

Warnungen und Hinweise

Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab