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IGT65R025D2ATMA1
Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 70 A, 0.03 ohm, 11 nC, HSOF, Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIGT65R025D2ATMA1
Bestellnummer4695746RL
Auch bekannt alsIGT65R025D2, SP006026239
Technisches Datenblatt
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| Menge | |
|---|---|
| 10+ | CHF 8.580 |
| 50+ | CHF 7.860 |
| 100+ | CHF 7.140 |
| 250+ | CHF 7.000 |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 10
Mehrere: 1
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIGT65R025D2ATMA1
Bestellnummer4695746RL
Auch bekannt alsIGT65R025D2, SP006026239
Technisches Datenblatt
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.00001
Produktnachverfolgung