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IGD70R200D2SAUMA1
Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 7.3 A, 0.24 ohm, 1.3 nC, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIGD70R200D2SAUMA1
Bestellnummer4749217
ProduktpaletteCoolGaN G5 Series
Auch bekannt alsSP006085337 and IGD70R200D2S
Technisches Datenblatt
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | CHF 1.880 |
| 10+ | CHF 1.230 |
| 100+ | CHF 0.892 |
| 500+ | CHF 0.768 |
| 1000+ | CHF 0.705 |
| 5000+ | CHF 0.626 |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 1
Mehrere: 1
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIGD70R200D2SAUMA1
Bestellnummer4749217
ProduktpaletteCoolGaN G5 Series
Auch bekannt alsSP006085337 and IGD70R200D2S
Technisches Datenblatt
Drain-Source-Spannung Vds700V
Dauer-Drainstrom Id7.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.24ohm
Gate-Ladung, typ.1.3nC
Bauform - TransistorTO-252 (DPAK)
TransistormontageOberflächenmontage
Anzahl der Pins3Pin(s)
ProduktpaletteCoolGaN G5 Series
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Technische Spezifikationen
Drain-Source-Spannung Vds
700V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.24ohm
Bauform - Transistor
TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Qualifikation
-
Dauer-Drainstrom Id
7.3A
Gate-Ladung, typ.
1.3nC
Transistormontage
Oberflächenmontage
Produktpalette
CoolGaN G5 Series
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Austria
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Austria
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Keine Angabe
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000001
Produktnachverfolgung