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IGB50N65S5ATMA1
IGBT, 80 A, 1.35 V, 270 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIGB50N65S5ATMA1
Bestellnummer2895569RL
ProduktpaletteTRENCHSTOP 5
Auch bekannt alsIGB50N65S5, SP001502566
Technisches Datenblatt
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| Menge | |
|---|---|
| 100+ | CHF 1.590 |
| 500+ | CHF 1.330 |
| 1000+ | CHF 1.190 |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
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Mehrere: 1
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIGB50N65S5ATMA1
Bestellnummer2895569RL
ProduktpaletteTRENCHSTOP 5
Auch bekannt alsIGB50N65S5, SP001502566
Technisches Datenblatt
Dauerkollektorstrom80A
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung1.35V
Verlustleistung270W
Kollektor-Emitter-Spannung, max.650V
Bauform - TransistorTO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.175°C
TransistormontageOberflächenmontage
ProduktpaletteTRENCHSTOP 5
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Dauerkollektorstrom
80A
Verlustleistung
270W
Bauform - Transistor
TO-263 (D2PAK)
Betriebstemperatur, max.
175°C
Produktpalette
TRENCHSTOP 5
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
1.35V
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
650V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Transistormontage
Oberflächenmontage
MSL
-
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.001
Produktnachverfolgung