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BSC883N03LSGATMA1
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 34 V, 98 A, 3200 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerBSC883N03LSGATMA1
Bestellnummer2617421RL
ProduktpaletteOptiMOS 3
Auch bekannt alsBSC883N03LS G, SP000507422
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds34V
Dauer-Drainstrom Id98A
Drain-Source-Durchgangswiderstand3200µohm
Bauform - TransistorPG-TDSON
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.2.2V
Verlustleistung57W
Anzahl der Pins8Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteOptiMOS 3
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (08-Jul-2021)
Alternativen für BSC883N03LSGATMA1
1 Produkt(e) gefunden
Produktbeschreibung
Warnungen und Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab. Das Produkt ist von Rabattaktionen ausgenommen.
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
98A
Bauform - Transistor
PG-TDSON
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
57W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (08-Jul-2021)
Drain-Source-Spannung Vds
34V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
3200µohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
2.2V
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Produktpalette
OptiMOS 3
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (1)
Zugehörige Produkte
2 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (08-Jul-2021)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.00001
Produktnachverfolgung