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BSC060N10NS3GATMA1
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 6000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerBSC060N10NS3GATMA1
Bestellnummer2432708RL
Auch bekannt alsBSC060N10NS3 G, SP000446584
Technisches Datenblatt
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| Menge | |
|---|---|
| 100+ | CHF 0.856 |
| 500+ | CHF 0.744 |
| 1000+ | CHF 0.709 |
| 5000+ | CHF 0.633 |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 100
Mehrere: 5
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerBSC060N10NS3GATMA1
Bestellnummer2432708RL
Auch bekannt alsBSC060N10NS3 G, SP000446584
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds100V
Dauer-Drainstrom Id90A
Drain-Source-Durchgangswiderstand6000µohm
Bauform - TransistorTDSON
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.2.7V
Verlustleistung125W
Anzahl der Pins8Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
BSC060N10NS3 G ist ein n-Kanal-Leistungs-MOSFET mit OptiMOS™-Technologie, der eine überlegene Lösung für Schaltnetzteile mit hohem Wirkungsgrad und hoher Leistungsdichte bietet. Im Vergleich zur nächstbesten Technologie erreicht diese Familie eine Reduktion von 30% bei RDS (ON) und FOM.
- Hervorragende Schaltleistung
- Niedrigster ON-Widerstand RDS (ON)
- Sehr niedrige Qg und Qgd
- Hervorragendes Gateladung x RDS (ON)-Produkt (FOM)
- Umweltfreundlich
- Höherer Wirkungsgrad
- Höchste Leistungsdichte
- Erfordert weniger Parallelschaltung
- Kleinster Platzverbrauch auf der Platine
- Vereinfachtes Produktdesign
- Halogenfrei
- MSL1-Einstufung 2
Anwendungen
Power-Management, Audio, Motorantrieb & -steuerung, Industrie, Fahrzeugelektronik
Warnungen und Hinweise
Market demand for this product has caused an extension in lead times, delivery dates may fluctuate
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
90A
Bauform - Transistor
TDSON
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
125W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain-Source-Spannung Vds
100V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
6000µohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
2.7V
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (1)
Alternativen für BSC060N10NS3GATMA1
2 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.0005
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